پیش از این فناوری تراشه حافظه ۴گیگابایتی DDR۳ تولید شده بود که تنها دو سال بعد از تولید آن، این نسل جدید از فناوری پا به عرضه ظهور گذاشته است. در حافظه ۸ گیگابایتی DDR۴ از فناوری ۱۰ نانومتری استفاده شده در حالی که نسل قبلی یعنی حافظه ۴ گیگابایتیDDR۳ از فناوری ۲۰ نانومتری استفاده شده بود.
نتایج آزمایش‌های انجام شده سامسونگ نشان می‌دهد که این فناوری جدید می‌تواند کارایی سیستم را ۳۰ درصد نسبت به فناوری ۲۰ نانومتری، افزایش دهد.
این شرکت اعلام کرده، حافظه ۱۰ نانومتری جدید می‌تواند کارایی سیستم‌های IT را به شکل قابل توجهی افزایش دهد به طوری که موتور رشد جدیدی در صنعت تولید حافظه ایجاد شود. در آینده نزدیک، نسل جدید ادوات الکترونیکی نظیر تلفن همراه مجهز به این حافظه ۱۰ نانومتری شده که دانسیته مدارها در آن به بالاترین حد ممکن می‌رسد.
سامسونگ در جدیدترین اظهار نظر خود اعلام کرده که قصد دارد تولید انبوه تلفن‌های همراه مجهز به فناوری ۱۰ نانومتری را آغاز کند. این تلفن‌ها در سال جاری میلادی تولید شده و رقابت‌پذیری این شرکت را در حوزه تولید تلفن‌های هوشمند افزایش می‌دهد.
